高容贴片电容|黑龙江电容|正刚鑫电子科技 查看

滤波从理论上（即假定电容为纯电容）说，电容越大，阻抗越小，经过的频率也越高。但实际上追赶1μF 的电容大多为电解电容，有很大的电感成份，所以频率高后反而阻抗会增大。有时会看到有一个电容量较大电解电容并联了一个小电容，这时大电容滤低频，小电容滤高频。电容的效果就是通沟通隔直流，通高频阻低频。电容越大高频越简单经过。详细用在滤波中，大电容（1000μF）滤低频，小电容（20pF）滤高频。曾有网友形象地将滤波电容比作“水塘”。因为电容的两头电压不会骤变，由此可知，黑龙江电容，信号频率越高则衰减越大，可很形象的说电容像个水塘，不会因几滴水的参加或蒸腾而引起水量的改变。它把电压的改变转化为电流的改变，频率越高，峰值电流就越大，然后缓冲了电压。滤波就是充电，放电的过程

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开关三极管电路负载电阻被直接跨接于三极管的集电极与电源之间，而**三极管主电流的回路上，输入电压Vin则操控三极管开关的敞开(open) 与闭合(closed) 动作，当三极管呈敞开状况时，负载电流便被阻断，反之，当三极管呈闭合状况时，电流便能够流通。　　具体的说，当Vin为低电压时，高压贴片电容，因为基较没有电流，因而集电极亦无电流，致使连接于集电极端的负载亦没有电流，而相当于开关的敞开，此刻三极管乃作业于截止(cut off)区。　　同理，当Vin为高电压时，通讯设备贴片电容，因为有基较电流活动，高容贴片电容，因而使集电极流过更大的扩大电流，因而负载回路便被导通，而相当于开关的闭合，此刻三极管乃作业于饱满区(saturation)。

关于晶体三极管的开关饱满区，MOS管的饱满区就是晶体管的扩大区。

晶体三极管的扩大是电流联系的扩大，即Ic=B*Ib

而MOS管的扩大倍数是Ic=B*Ugs，与g、s两头的电压有联系

MOS管的扩大倍数比较大，安稳。